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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics70895+￥28.228650+￥27.0222200+￥26.3467500+￥26.17781000+￥26.00892500+￥25.81595000+￥25.69537500+￥25.5746 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP9NK70Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V115310+￥7.2384100+￥6.8765500+￥6.63521000+￥6.62312000+￥6.57495000+￥6.51467500+￥6.466310000+￥6.4422 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新58005+￥26.545050+￥25.4106200+￥24.7753500+￥24.61651000+￥24.45772500+￥24.27625000+￥24.16277500+￥24.0493 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STF28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新39015+￥11.895450+￥11.3870200+￥11.1024500+￥11.03121000+￥10.96002500+￥10.87875000+￥10.82797500+￥10.7770 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFH13N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V 新94755+￥4.287625+￥3.970050+￥3.7477100+￥3.6524500+￥3.58892500+￥3.50955000+￥3.477710000+￥3.4301 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFH18N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.255 ohm, 10 V, 3 V 新583710+￥11.5284100+￥10.9520500+￥10.56771000+￥10.54852000+￥10.47165000+￥10.37567500+￥10.298710000+￥10.2603 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFH24N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V 新659710+￥11.7816100+￥11.1925500+￥10.79981000+￥10.78022000+￥10.70165000+￥10.60347500+￥10.524910000+￥10.4856 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STF23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V44465+￥28.466150+￥27.2496200+￥26.5684500+￥26.39811000+￥26.22772500+￥26.03315000+￥25.91157500+￥25.7898 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD2NK90Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.05 A, 900 V, 5 ohm, 10 V, 3.75 V48745+￥4.345725+￥4.023850+￥3.7984100+￥3.7019500+￥3.63752500+￥3.55705000+￥3.524810000+￥3.4765 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STD2HNK60Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 3.75 V21025+￥1.432425+￥1.326350+￥1.2520100+￥1.2202500+￥1.19892500+￥1.17245000+￥1.161810000+￥1.1459 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STF11N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V749710+￥9.1632100+￥8.7050500+￥8.39961000+￥8.38432000+￥8.32325000+￥8.24697500+￥8.185810000+￥8.1552 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V46925+￥6.748725+￥6.248850+￥5.8988100+￥5.7489500+￥5.64892500+￥5.52395000+￥5.473910000+￥5.3989 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V 新949410+￥9.2436100+￥8.7814500+￥8.47331000+￥8.45792000+￥8.39635000+￥8.31927500+￥8.257610000+￥8.2268 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新2663 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新6187 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics1596 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新6263
